Intel начала работу над планами на будущее, чтобы конкурировать с TSMC и Samsung в производстве микросхем, построив два завода в Аризоне, что позволит увеличить производственные мощности. Это также должно помочь увеличить предложение на рынке полупроводников. Ожидается, что оба завода будут завершены и введены в эксплуатацию не ранее 2024 года. Корпорация Intel назвала два завода «Fab 52» и «Fab 62». Два завода по производству полупроводников расположены рядом с четырьмя существующими заводами в кампусе Окотилло, главном производственном предприятии Intel в Северной Америке, в Чандлере, штат Аризона.

Пэт Гелсинджер, генеральный директор Intel, приветствовал правительственных чиновников во время церемонии, посвященной новейшим и крупнейшим частным инвестициям в истории Аризоны. Это новейшее предприятие, на которое было потрачено более 20 миллиардов долларов, дает Intel дополнительные возможности для создания производственных линий EUV следующего поколения и дает больше возможностей для производства передовых технологий чипов.

Гелсинджер и другие представители Intel считают, что это создаст тысячи новых рабочих мест в Аризоне, в том числе около 3000 рабочих мест в строительстве, а также более высокооплачиваемые и руководящие должности, а также более 15000 различных непрямых должностей для североамериканского региона. Гелсинджер заявил, что Intel вернет себе «бесспорное лидерство в технологиях производства и фасовки».

Строительство двух новых заводов осуществляется в свете стратегии Intel IDM 2.0 по созданию нового подразделения Intel Foundry Services (IFS) для «контрактного производства» для других предприятий – впервые для технологического гиганта.

Президент Intel Foundry Services Рандхир Такур запросил у администрации Байдена дополнительное финансирование, призвав «внутреннее производство полупроводников сверх $ 52 млрд, выделенных в настоящее время в этом направлении».

В июле IFS сообщила, что они привлекли Qualcomm и Amazon к двум первым крупным компаниям для использования полупроводниковых чипов Intel в своих проектах. Недавно Intel также заключила сделку с Пентагоном о начальных этапах создания коммерческих прототипов Rapid Assured Microelectronics Prototypes (RAMP-C). Эта новая программа предназначена для создания систем, использующих чипы американского производства.

После ввода в эксплуатацию две полупроводниковые фабрики Intel начнут производство технологического процесса Intel 20A с использованием транзисторов Gate-All-Around (GAA), а также межсоединений PowerVia для своих вариантов RibbonFET. Intel не разглашает, какой именно процент из двух предприятий будет создан для клиентов IFS, но заявила, что предприятия планируют производить большое количество пластин каждую неделю.