Компания Samsung Electronics на пятом ежегодном форуме Samsung Foundry Forum представила планы по переходу на 3-нм и 2-нм техпроцессы на основе технологии транзисторов GAAFET (gate-all-around field-effect transistor).

В настоящее время Samsung Foundry планирует начать производство 3-нм микросхем для клиентов в первой половине 2022 года. Второе поколение 3-нм техпроцесса ожидается в 2023 году. Что касается дальнейшего развития, то 2-нм узел находится на начальных этапах разработки с планируемым массовым производством в 2025 году.

Samsung называет свою технологию Gate-All-Around (GAA) с использованием Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). 3-нм техпроцесс с MBCFET позволит уменьшить площадь на значение до 35%, повысить производительности на 30% или снизить энергопотребление на 50% по сравнению с 5-нм чипами.

В условиях глобального кризиса отрасли, Samsung не забывает о и более «толстых» техпроцессах. Например, они представили новый 17-нм узел с транзисторами FinFET. Он обеспечивает уменьшение площади до 43%, повышение производительности на 39% или повышение энергоэффективности на 49% по сравнению с 28-нм технологией.

Source: news.google.com

Тетяна Литвиненко

Редактор Технічних Новин сайту Останні новини Технологій: Тетяна – професійний редактор з багаторічним досвідом у технічній журналістиці. Вона глибоко розуміє та пише про новітні досягнення в галузі техніки.