Samsung Electronics готовится к началу серийного производства высокоскоростных микросхем памяти GDDR6. Южнокорейский гигант уже начала поставлять своим партнёрам образцы чипов с эффективной частотой вплоть до 24 ГГц. Встретить их можно будет в новом поколении графических карт от AMD, Nvidia и, возможно, Intel.

Для новых микросхем Samsung GDDR6 характерна ёмкость 16 Гбит (2 ГБ) и пропускная способность от 14 до 24 Гбит/с на контакт. Добавим, что на сегодня наиболее быстрые чипы в ассортименте корейцев имеют скорость 18 Гбит/с, а Micron Technology лишь недавно смогла наладить выпуск чипов GDDR6X с эффективной частотой 21 ГГц.

Улучшенная память GDDR6 позволит существенно нарастить пропускную способность видеобуфера, не прибегая к использованию дорогой HBM2E. Например, у видеокарт с 256-разрядной шиной и топовыми чипами Samsung она составит 768 Гбайт/с. В настоящее время таким показателем обладает GeForce RTX 3080, сочетающая 320-битную шину и микросхемы GDDR6X.

Ориентировочные сроки выхода новых микросхем GDDR6 южнокорейский чипмейкер пока держит в секрете.

Источники:
Samsung
WCCFTech

Source: news.google.com

Тетяна Литвиненко

Редактор Технічних Новин сайту Останні новини Технологій: Тетяна – професійний редактор з багаторічним досвідом у технічній журналістиці. Вона глибоко розуміє та пише про новітні досягнення в галузі техніки.